Биполярный транзистор BU1008ADF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BU1008ADF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BU1008ADF
BU1008ADF Datasheet (PDF)
9.1. Size:206K inchange semiconductor
bu100.pdf
bu100.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU100DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 3.3V(Max.)@ I = 8ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of CTVreceivers and high voltage,fast switching a
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
