BU1008AF Todos los transistores

 

BU1008AF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU1008AF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 4
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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BU1008AF Datasheet (PDF)

 9.1. Size:206K  inchange semiconductor
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BU1008AF

isc Silicon NPN Power Transistor BU100DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 3.3V(Max.)@ I = 8ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of CTVreceivers and high voltage,fast switching a

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History: 2SC1458 | TP834 | 2SA1961

 

 
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