BU1008AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU1008AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BU1008AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU1008AF даташит

 9.1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu100.pdf pdf_icon

BU1008AF

isc Silicon NPN Power Transistor BU100 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 3.3V(Max.)@ I = 8A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output stage of CTV receivers and high voltage,fast switching a

Другие транзисторы: BT4260, BT4261, BT929, BT929T, BT930, BT930T, BU100, BU1008ADF, 2SC1815, BU100A, BU102, BU103, BU103A, BU104, BU104D, BU104DP, BU104P