BU104DP Todos los transistores

 

BU104DP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU104DP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

BU104DP Datasheet (PDF)

 8.1. Size:203K  inchange semiconductor
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BU104DP

isc Silicon NPN Power Transistor BU104DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max.)@ I = 7ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTs.ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu104.pdf pdf_icon

BU104DP

isc Silicon NPN Power Transistor BU104DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max.)@ I = 7ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflexion output stage of B/WTV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SC5758 | DRA5144V | MMBT3906WG | BFQ790 | BSY93 | 3DD3145_A6 | 2SD1231

 

 
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