BU104DP Todos los transistores

 

BU104DP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU104DP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BU104DP datasheet

 8.1. Size:203K  inchange semiconductor
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BU104DP

isc Silicon NPN Power Transistor BU104D DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 2.5V(Max.)@ I = 7A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s. ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu104.pdf pdf_icon

BU104DP

isc Silicon NPN Power Transistor BU104 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 2.5V(Max.)@ I = 7A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflexion output stage of B/W TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

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