BU104DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU104DP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BU104DP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU104DP даташит

 8.1. Size:203K  inchange semiconductor
 bu104d.pdf pdf_icon

BU104DP

isc Silicon NPN Power Transistor BU104D DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 2.5V(Max.)@ I = 7A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s. ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu104.pdf pdf_icon

BU104DP

isc Silicon NPN Power Transistor BU104 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 2.5V(Max.)@ I = 7A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflexion output stage of B/W TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие транзисторы: BU1008ADF, BU1008AF, BU100A, BU102, BU103, BU103A, BU104, BU104D, BD135, BU104P, BU105, BU105-02, BU106, BU107, BU108, BU1085, BU109