Биполярный транзистор BU104DP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BU104DP
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора: TO220
BU104DP Datasheet (PDF)
bu104d.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU104DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max.)@ I = 7ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTs.ABSOLUTE MAXIMUM R
bu104.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU104DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max.)@ I = 7ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflexion output stage of B/WTV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS