BU105-02 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU105-02

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 850 V

Tensión colector-emisor (Vce): 500 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 115 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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BU105-02 datasheet

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BU105-02

isc Silicon NPN Power Transistor BU105 DESCRIPTION High Voltage-V = 1300V(Min.) CER Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 5.0V(Max.)@ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in line operated B&W(19 and 20 inch 110 deflection circuits ) or color ( 11 and 14 inch 90 deflectio

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