BU105-02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU105-02

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 115 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU105-02

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU105-02 даташит

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu105.pdf pdf_icon

BU105-02

isc Silicon NPN Power Transistor BU105 DESCRIPTION High Voltage-V = 1300V(Min.) CER Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 5.0V(Max.)@ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in line operated B&W(19 and 20 inch 110 deflection circuits ) or color ( 11 and 14 inch 90 deflectio

Другие транзисторы: BU102, BU103, BU103A, BU104, BU104D, BU104DP, BU104P, BU105, TIP31, BU106, BU107, BU108, BU1085, BU109, BU109D, BU109DP, BU109NP