BU1085 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU1085

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 115 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 4

Encapsulados: TO3

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BU1085 datasheet

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BU1085

isc Silicon NPN Power Transistor BU108 DESCRIPTION High Voltage High Switching Speed Collector Current- I = 5A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage CRT scanning applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1300 V CBO V Collect

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