BU1085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU1085

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 115 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU1085

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU1085 даташит

 9.1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu108.pdf pdf_icon

BU1085

isc Silicon NPN Power Transistor BU108 DESCRIPTION High Voltage High Switching Speed Collector Current- I = 5A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage CRT scanning applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1300 V CBO V Collect

Другие транзисторы: BU104D, BU104DP, BU104P, BU105, BU105-02, BU106, BU107, BU108, 2SC2625, BU109, BU109D, BU109DP, BU109NP, BU109P, BU110, BU111, BU112