BU110 Todos los transistores

 

BU110 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU110
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 330 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 115 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
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BU110

isc Silicon NPN Power Transistor BU110DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 5ACE(sat CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 150 V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of TVs andC

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