Справочник транзисторов. BU110

 

Биполярный транзистор BU110 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU110
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 115 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BU110

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 bu110.pdf pdf_icon

BU110

isc Silicon NPN Power Transistor BU110DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 5ACE(sat CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 150 V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of TVs andC

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: NSBC115TPDP6T5G

 

 
Back to Top

 


 
.