BU111 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU111

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO3

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BU111 datasheet

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BU111

isc Silicon NPN Power Transistor BU111 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltag- V = 300V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max)@ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV receivers chopper supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

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