BU111 Todos los transistores

 

BU111 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU111
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU111 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
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BU111

isc Silicon NPN Power Transistor BU111DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltag-: V = 300V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max)@ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in color TV receivers chopper supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

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