Справочник транзисторов. BU111

 

Биполярный транзистор BU111 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU111
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BU111

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU111 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu111.pdf pdf_icon

BU111

isc Silicon NPN Power Transistor BU111DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltag-: V = 300V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max)@ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in color TV receivers chopper supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

Другие транзисторы... BU108 , BU1085 , BU109 , BU109D , BU109DP , BU109NP , BU109P , BU110 , 2SD313 , BU112 , BU113 , BU113S , BU114 , BU115 , BU116 , BU117 , BU118 .

 

 
Back to Top

 


 
.