BU111. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU111

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU111

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU111 даташит

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu111.pdf pdf_icon

BU111

isc Silicon NPN Power Transistor BU111 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltag- V = 300V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max)@ I = 2.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV receivers chopper supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

Другие транзисторы: BU108, BU1085, BU109, BU109D, BU109DP, BU109NP, BU109P, BU110, A1013, BU112, BU113, BU113S, BU114, BU115, BU116, BU117, BU118