BU112 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU112

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 550 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 400 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 7

Encapsulados: TO3

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BU112 datasheet

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BU112

isc Silicon NPN Power Transistors BU112 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- V = 550V(Min.) CEX(SUS) Collector Current- I = 10A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for deflection circuits applications in color TV receivers fitted with 90 kinescope. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

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