BU112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BU112
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-base (Vcb): 550 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 400 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de BU112
BU112 Datasheet (PDF)
bu112.pdf

isc Silicon NPN Power Transistors BU112DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 550V(Min.)CEX(SUS)Collector Current- I = 10ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for deflection circuits applications in color TVreceivers fitted with 90 kinescope.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
Otros transistores... BU1085 , BU109 , BU109D , BU109DP , BU109NP , BU109P , BU110 , BU111 , 2N4401 , BU113 , BU113S , BU114 , BU115 , BU116 , BU117 , BU118 , BU120 .
History: 2SC3152K | KSC1394O | 45194 | BCV63B
History: 2SC3152K | KSC1394O | 45194 | BCV63B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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