BU112 Todos los transistores

 

BU112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU112
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 550 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 400 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
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BU112

isc Silicon NPN Power Transistors BU112DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 550V(Min.)CEX(SUS)Collector Current- I = 10ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for deflection circuits applications in color TVreceivers fitted with 90 kinescope.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

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History: 2SC3152K | KSC1394O | 45194 | BCV63B

 

 
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