Биполярный транзистор BU112 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BU112
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора: TO3
Аналог (замена) для BU112
BU112 Datasheet (PDF)
bu112.pdf

isc Silicon NPN Power Transistors BU112DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 550V(Min.)CEX(SUS)Collector Current- I = 10ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for deflection circuits applications in color TVreceivers fitted with 90 kinescope.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
Другие транзисторы... BU1085 , BU109 , BU109D , BU109DP , BU109NP , BU109P , BU110 , BU111 , 2N4401 , BU113 , BU113S , BU114 , BU115 , BU116 , BU117 , BU118 , BU120 .
History: KT816G | FMMT493A | UN4214 | CMBTA55 | 2SD29
History: KT816G | FMMT493A | UN4214 | CMBTA55 | 2SD29



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d