BU112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU112

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU112 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu112.pdf pdf_icon

BU112

isc Silicon NPN Power Transistors BU112 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- V = 550V(Min.) CEX(SUS) Collector Current- I = 10A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for deflection circuits applications in color TV receivers fitted with 90 kinescope. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

Другие транзисторы: BU1085, BU109, BU109D, BU109DP, BU109NP, BU109P, BU110, BU111, 2SB817, BU113, BU113S, BU114, BU115, BU116, BU117, BU118, BU120