Биполярный транзистор BU112 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BU112
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора: TO3
BU112 Datasheet (PDF)
..1. Size:206K inchange semiconductor
bu112.pdf
bu112.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BU112DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 550V(Min.)CEX(SUS)Collector Current- I = 10ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for deflection circuits applications in color TVreceivers fitted with 90 kinescope.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
