BU113 Todos los transistores

 

BU113 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU113
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 63 W
   Tensión colector-base (Vcb): 700 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 275 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 400 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
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BU113

isc Silicon NPN Power Transistors BU113DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 700V(Min.)CEX(SUS)Collector Current- I = 10ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output state ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KRA353 | BCW65ALT1 | 2SD1609 | D28A13 | 2SC3138 | 2SA1783 | 2SC3152M

 

 
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