BU113 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BU113 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BU113
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 63 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 275 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для BU113

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu113.pdf pdf_icon

BU113

isc Silicon NPN Power Transistors BU113DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 700V(Min.)CEX(SUS)Collector Current- I = 10ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output state ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Другие транзисторы... BU109 , BU109D , BU109DP , BU109NP , BU109P , BU110 , BU111 , BU112 , 2SB817 , BU113S , BU114 , BU115 , BU116 , BU117 , BU118 , BU120 , BU121 .

 

 
Back to Top

 


 
.