Биполярный транзистор BU113 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BU113
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 63 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 275 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора: TO3
BU113 Datasheet (PDF)
..1. Size:206K inchange semiconductor
bu113.pdf
bu113.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BU113DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 700V(Min.)CEX(SUS)Collector Current- I = 10ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output state ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
