Биполярный транзистор BU113 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BU113
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 63 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 275 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам