BU113S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU113S

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 400 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO3

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BU113S datasheet

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BU113S

isc Silicon NPN Power Transistors BU113 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- V = 700V(Min.) CEX(SUS) Collector Current- I = 10A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output state of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

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