BU113S Todos los transistores

 

BU113S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU113S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 700 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 400 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU113S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:206K  inchange semiconductor
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BU113S

isc Silicon NPN Power Transistors BU113DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 700V(Min.)CEX(SUS)Collector Current- I = 10ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output state ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

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History: BC877 | 2N834-51 | BDX29-10 | 2SA1664

 

 
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