Биполярный транзистор BU113S Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BU113S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам