Справочник транзисторов. BU113S

 

Биполярный транзистор BU113S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU113S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BU113S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU113S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu113.pdf pdf_icon

BU113S

isc Silicon NPN Power Transistors BU113DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 700V(Min.)CEX(SUS)Collector Current- I = 10ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output state ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Другие транзисторы... BU109D , BU109DP , BU109NP , BU109P , BU110 , BU111 , BU112 , BU113 , 8550 , BU114 , BU115 , BU116 , BU117 , BU118 , BU120 , BU121 , BU122 .

History: BD529-5 | BUY75 | 2SC3152K | KSC1394O

 

 
Back to Top

 


 
.