BU113S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU113S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU113S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU113S даташит

 9.1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu113.pdf pdf_icon

BU113S

isc Silicon NPN Power Transistors BU113 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- V = 700V(Min.) CEX(SUS) Collector Current- I = 10A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output state of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

Другие транзисторы: BU109D, BU109DP, BU109NP, BU109P, BU110, BU111, BU112, BU113, 2SC2655, BU114, BU115, BU116, BU117, BU118, BU120, BU121, BU122