BU114 Todos los transistores

 

BU114 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU114
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU114 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
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BU114

isc Silicon NPN Power Transistor BU114DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 5ACE(sat CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 150 V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of TVs andC

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History: MJE13003K8 | TR8007A | DTC024EUB | GT8103

 

 
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