BU114 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BU114 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BU114
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для BU114

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU114 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 bu114.pdf pdf_icon

BU114

isc Silicon NPN Power Transistor BU114DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 5ACE(sat CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 150 V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of TVs andC

Другие транзисторы... BU109DP , BU109NP , BU109P , BU110 , BU111 , BU112 , BU113 , BU113S , 2SD669A , BU115 , BU116 , BU117 , BU118 , BU120 , BU121 , BU122 , BU123 .

History: PN2222ABU | 2N5587

 

 
Back to Top

 


 
.