BU114. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU114

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU114

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU114 даташит

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 bu114.pdf pdf_icon

BU114

isc Silicon NPN Power Transistor BU114 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 150 V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output stage of TVs and C

Другие транзисторы: BU109DP, BU109NP, BU109P, BU110, BU111, BU112, BU113, BU113S, D880, BU115, BU116, BU117, BU118, BU120, BU121, BU122, BU123