BU118 Todos los transistores

 

BU118 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU118
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU118 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  cn sptech
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BU118

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power TransistorBU118DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaV :200VCEI :7ACMMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Ba

 ..2. Size:268K  inchange semiconductor
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BU118

isc Silicon NPN Power Transistor BU118DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaV :200VCEI :7ACMMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 400 V THERMAL CHARACTER

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History: 2SC5507 | DDTA124GUA | 2SC5447

 

 
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