BU118 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU118

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO3

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BU118 datasheet

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BU118

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor BU118 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area V 200V CE I 7A CM Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba

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BU118

isc Silicon NPN Power Transistor BU118 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area V 200V CE I 7A CM Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 400 V THERMAL CHARACTER

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