BU118. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU118

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU118

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU118 даташит

 ..1. Size:424K  cn sptech
 bu118.pdf pdf_icon

BU118

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor BU118 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area V 200V CE I 7A CM Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba

 ..2. Size:268K  inchange semiconductor
 bu118.pdf pdf_icon

BU118

isc Silicon NPN Power Transistor BU118 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area V 200V CE I 7A CM Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 400 V THERMAL CHARACTER

Другие транзисторы: BU111, BU112, BU113, BU113S, BU114, BU115, BU116, BU117, 2222A, BU120, BU121, BU122, BU123, BU124, BU124A, BU125, BU125S