BU120 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU120

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TO3

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BU120 datasheet

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BU120

isc Silicon NPN Power Transistors BU120 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output stage of CTV receivers and high voltalge, fast switching and industrial application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

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