BU120 Todos los transistores

 

BU120 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU120
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
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BU120

isc Silicon NPN Power Transistors BU120DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-:V = 200V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of CTVreceivers and high voltalge, fast switching and industrialapplication.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

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History: BFQ29P | FZT600B

 

 
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