BU120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU120

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU120

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU120 даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu120.pdf pdf_icon

BU120

isc Silicon NPN Power Transistors BU120 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output stage of CTV receivers and high voltalge, fast switching and industrial application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

Другие транзисторы: BU112, BU113, BU113S, BU114, BU115, BU116, BU117, BU118, 2SC5198, BU121, BU122, BU123, BU124, BU124A, BU125, BU125S, BU126