BU126S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU126S

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 800 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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BU126S datasheet

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BU126S

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors BU126 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 300V(Min.) CEO(SUS) Collector Current- I = 3A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in regulator, inverter, switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

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