BU126S Todos los transistores

 

BU126S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU126S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 800 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU126S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
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BU126S

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistors BU126DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-:V = 300V(Min.)CEO(SUS)Collector Current- I = 3ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in regulator, inverter, switching modepower supply.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

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History: FC115 | BLV97 | 2N103 | DCX56 | 2SD880 | DDTA143EKA

 

 
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