BU126S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU126S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU126S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU126S даташит

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
 bu126.pdf pdf_icon

BU126S

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors BU126 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 300V(Min.) CEO(SUS) Collector Current- I = 3A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in regulator, inverter, switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

Другие транзисторы: BU122, BU123, BU124, BU124A, BU125, BU125S, BU126, BU126A, 2SD669, BU126T, BU127, BU128, BU129, BU130, BU131, BU132, BU133