BU128 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU128

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 62 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BU128

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BU128 datasheet

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 bu128.pdf pdf_icon

BU128

isc Silicon NPN Power Transistor BU128 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applicat

Otros transistores... BU124A, BU125, BU125S, BU126, BU126A, BU126S, BU126T, BU127, TIP142, BU129, BU130, BU131, BU132, BU133, BU134, BU135, BU136