BU128. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU128

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU128

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU128 даташит

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 bu128.pdf pdf_icon

BU128

isc Silicon NPN Power Transistor BU128 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applicat

Другие транзисторы: BU124A, BU125, BU125S, BU126, BU126A, BU126S, BU126T, BU127, TIP142, BU129, BU130, BU131, BU132, BU133, BU134, BU135, BU136