BU132 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU132

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W

Tensión colector-base (Vcb): 800 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO3

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BU132 datasheet

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BU132

isc Silicon NPN Power Transistor BU132 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 0.5A CE(sat C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 600V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applic

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