BU132. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU132

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU132

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU132 даташит

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
 bu132.pdf pdf_icon

BU132

isc Silicon NPN Power Transistor BU132 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 0.5A CE(sat C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 600V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applic

Другие транзисторы: BU126A, BU126S, BU126T, BU127, BU128, BU129, BU130, BU131, 431, BU133, BU134, BU135, BU136, BU137, BU137A, BU138, BU139