BU209 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU209

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 1700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 800 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 115 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2.25

Encapsulados: TO3

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BU209 datasheet

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BU209

isc Silicon NPN Power Transistor BU209 DESCRIPTION High Reverse Voltage High Peak Power Collector Current- I = 4A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits in color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Vo

 0.1. Size:206K  inchange semiconductor
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BU209

isc Silicon NPN Power Transistor BU209A DESCRIPTION High Voltage Capability High Peak Power High Current Capability 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits in color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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