BU209. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU209

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 115 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2.25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU209

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU209 даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu209.pdf pdf_icon

BU209

isc Silicon NPN Power Transistor BU209 DESCRIPTION High Reverse Voltage High Peak Power Collector Current- I = 4A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits in color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Vo

 0.1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu209a.pdf pdf_icon

BU209

isc Silicon NPN Power Transistor BU209A DESCRIPTION High Voltage Capability High Peak Power High Current Capability 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits in color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие транзисторы: BU206, BU206A, BU207, BU207A, BU208, BU208A, BU208B, BU208D, TIP42C, BU209A, BU210, BU211, BU212, BU213, BU214, BU215, BU216