BU222 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU222

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W

Tensión colector-base (Vcb): 450 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 3

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BU222

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BU222 datasheet

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu222.pdf pdf_icon

BU222

isc Silicon NPN Power Transistor BU222 DESCRIPTION High Collector-Base Breakdown Voltage- V = 450V (Min) (BR)CBO High Current Capability High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 0.1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu222a.pdf pdf_icon

BU222

isc Silicon NPN Power Transistor BU222A DESCRIPTION High Collector-Base Breakdown Voltage- V = 525V (Min) (BR)CBO High Current Capability High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

Otros transistores... BU212, BU213, BU214, BU215, BU216, BU217, BU218, BU221, A733, BU222A, BU223, BU223A, BU225, BU226, BU2506DF, BU2506DX, BU2507AF