BU222. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU222

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU222

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU222 даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu222.pdf pdf_icon

BU222

isc Silicon NPN Power Transistor BU222 DESCRIPTION High Collector-Base Breakdown Voltage- V = 450V (Min) (BR)CBO High Current Capability High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 0.1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu222a.pdf pdf_icon

BU222

isc Silicon NPN Power Transistor BU222A DESCRIPTION High Collector-Base Breakdown Voltage- V = 525V (Min) (BR)CBO High Current Capability High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

Другие транзисторы: BU212, BU213, BU214, BU215, BU216, BU217, BU218, BU221, A733, BU222A, BU223, BU223A, BU225, BU226, BU2506DF, BU2506DX, BU2507AF