BU415B Todos los transistores

 

BU415B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU415B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-base (Vcb): 900 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 4
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU415B Datasheet (PDF)

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BU415B

isc Silicon NPN Power Transistor BU415BDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltag-: V = 400V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV horizontal output and high power switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Coll

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BU415B

isc Silicon NPN Power Transistor BU415DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltag-: V = 400V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV horizontal output and high power switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Colle

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History: BD155 | BD1560

 

 
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