BU415B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU415B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU415B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU415B даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 bu415b.pdf pdf_icon

BU415B

isc Silicon NPN Power Transistor BU415B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltag- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal output and high power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Coll

 9.1. Size:200K  inchange semiconductor
 bu415.pdf pdf_icon

BU415B

isc Silicon NPN Power Transistor BU415 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltag- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal output and high power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Colle

Другие транзисторы: BU408D, BU409, BU410, BU411, BU412, BU413, BU414, BU414B, TIP41, BU426, BU426A, BU426AF, BU426F, BU433, BU4508AF, BU4508AX, BU4508AZ