2N3229 Todos los transistores

 

2N3229 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3229

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 17 W

Tensión colector-base (Vcb): 105 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO62

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2N3229 datasheet

 9.1. Size:274K  general electric
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2N3229

 9.2. Size:135K  no
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2N3229

 9.3. Size:170K  inchange semiconductor
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2N3229

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3226 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% test Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for power amplifier and switching circuits applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba

Otros transistores... 2N3220 , 2N3221 , 2N3222 , 2N3223 , 2N3224 , 2N3225 , 2N3226 , 2N3227 , 2SC5198 , 2N323 , 2N3230 , 2N3231 , 2N3232 , 2N3233 , 2N3234 , 2N3235 , 2N3236 .

 

 

 


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