2N3229 - описание и поиск аналогов

 

2N3229. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3229

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 105 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO62

 Аналоги (замена) для 2N3229

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3229 даташит

 9.1. Size:274K  general electric
 2n322 2n323 2n324.pdf pdf_icon

2N3229

 9.2. Size:135K  no
 2n3228.pdf pdf_icon

2N3229

 9.3. Size:170K  inchange semiconductor
 2n3226.pdf pdf_icon

2N3229

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3226 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% test Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for power amplifier and switching circuits applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba

Другие транзисторы: 2N3220, 2N3221, 2N3222, 2N3223, 2N3224, 2N3225, 2N3226, 2N3227, 2SC5198, 2N323, 2N3230, 2N3231, 2N3232, 2N3233, 2N3234, 2N3235, 2N3236

 

 

 

 

↑ Back to Top
.