BU536 Todos los transistores

 

BU536 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU536
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 480 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5.5
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BU536 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
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BU536

isc Silicon NPN Power Transistor BU536DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 480V(Min.)(BR)CEOHigh Speed SwitchingHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switching mode power supply.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Coll

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD1138 | PN2222-H | 2SC3357D | A966Y | L8550PLT3G | 2SC3837

 

 
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