Справочник транзисторов. BU536

 

Биполярный транзистор BU536 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU536
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 480 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5.5
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BU536

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU536 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu536.pdf pdf_icon

BU536

isc Silicon NPN Power Transistor BU536DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 480V(Min.)(BR)CEOHigh Speed SwitchingHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switching mode power supply.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Coll

Другие транзисторы... BU522B , BU526 , BU526A , BU526A-4 , BU526A-5 , BU526A-6 , BU526A-7 , BU526A-8 , D209L , BU546 , BU603 , BU606 , BU606D , BU607 , BU607D , BU608 , BU608D .

History: INC6008AP1

 

 
Back to Top

 


 
.