BU607 Todos los transistores

 

BU607 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU607
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 330 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU607 Datasheet (PDF)

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BU607

isc Silicon NPN Power Transistor BU607DESCRIPTIONHigh Voltage: V = 330V(Min)CEVFast Switching Speed-: t = 0.75s(Max)fLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXIM

 0.1. Size:207K  inchange semiconductor
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BU607

isc Silicon NPN Power Transistor BU607DDESCRIPTIONHigh Voltage: V = 330V(Min)CEVFast Switching Speed-: t = 0.75s(Max)fLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXI

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History: MJE13003A | 2SC4502

 

 
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