BU607. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU607

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU607

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU607 даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu607.pdf pdf_icon

BU607

isc Silicon NPN Power Transistor BU607 DESCRIPTION High Voltage V = 330V(Min) CEV Fast Switching Speed- t = 0.75 s(Max) f Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIM

 0.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu607d.pdf pdf_icon

BU607

isc Silicon NPN Power Transistor BU607D DESCRIPTION High Voltage V = 330V(Min) CEV Fast Switching Speed- t = 0.75 s(Max) f Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXI

Другие транзисторы: BU526A-6, BU526A-7, BU526A-8, BU536, BU546, BU603, BU606, BU606D, A1013, BU607D, BU608, BU608D, BU626, BU626A, BU705, BU705D, BU705DF