BU810 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU810

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO220

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BU810 datasheet

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BU810

BU810 MEDIUM VOLTAGE NPN FAST-SWITCHING DARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN DARLINGTON LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS FAST SWITCHING SPEED INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR 3 2 MONOCHROME TVs 1 GENERAL PURPOSE SWITCHING TO-220 DESCRIPTION The BU810 is a Multiepitaxial Planar NPN Transistor i

 ..2. Size:105K  inchange semiconductor
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BU810

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU810 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in high frequency and efficency converters, switching regulators and motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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