BU810 Todos los transistores

 

BU810 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU810
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BU810 Datasheet (PDF)

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BU810

BU810MEDIUM VOLTAGE NPN FAST-SWITCHINGDARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN DARLINGTON LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS FAST SWITCHING SPEED INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODEAPPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR32MONOCHROME TVs 1 GENERAL PURPOSE SWITCHING TO-220DESCRIPTION The BU810 is a Multiepitaxial Planar NPNTransistor i

 ..2. Size:105K  inchange semiconductor
 bu810.pdf pdf_icon

BU810

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU810 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in high frequency and efficency converters, switching regulators and motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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History: BSV47 | 2SC182 | UN111H

 

 
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