BU810. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU810

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BU810

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU810 даташит

 ..1. Size:63K  st
 bu810.pdf pdf_icon

BU810

BU810 MEDIUM VOLTAGE NPN FAST-SWITCHING DARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN DARLINGTON LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS FAST SWITCHING SPEED INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR 3 2 MONOCHROME TVs 1 GENERAL PURPOSE SWITCHING TO-220 DESCRIPTION The BU810 is a Multiepitaxial Planar NPN Transistor i

 ..2. Size:105K  inchange semiconductor
 bu810.pdf pdf_icon

BU810

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU810 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in high frequency and efficency converters, switching regulators and motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие транзисторы: BU807, BU807F, BU807FI, BU808, 2SB647-C, BU808DFI, BU808DXI, BU808FI, B647, BU824, BU826, BU826A, BU902, BU902F, BU903, BU903F, BU908