Биполярный транзистор BU810 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BU810
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220
Аналог (замена) для BU810
BU810 Datasheet (PDF)
bu810.pdf

BU810MEDIUM VOLTAGE NPN FAST-SWITCHINGDARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN DARLINGTON LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS FAST SWITCHING SPEED INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODEAPPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR32MONOCHROME TVs 1 GENERAL PURPOSE SWITCHING TO-220DESCRIPTION The BU810 is a Multiepitaxial Planar NPNTransistor i
bu810.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU810 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in high frequency and efficency converters, switching regulators and motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
Другие транзисторы... BU807 , BU807F , BU807FI , BU808 , 2SB647-C , BU808DFI , BU808DXI , BU808FI , 2SD882 , BU824 , BU826 , BU826A , BU902 , BU902F , BU903 , BU903F , BU908 .
History: DDTA125TE
History: DDTA125TE



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor