BU926 Todos los transistores

 

BU926 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU926
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-base (Vcb): 850 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2.5
   Paquete / Cubierta: TOP3
 

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BU926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
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BU926

isc Silicon NPN Power Transistor BU926DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V (Min)CEO(SUS)Low Saturation Voltage: V = 1.5V (Max)@I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage , high-speed , powerswitching in inductive circuit.ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

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History: SCH2202TLE | KSD5016 | GES4142 | AFY29

 

 
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