BU926 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU926

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W

Tensión colector-base (Vcb): 850 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2.5

Encapsulados: TOP3

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BU926 datasheet

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BU926

isc Silicon NPN Power Transistor BU926 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V (Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage V = 1.5V (Max)@I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage , high-speed , power switching in inductive circuit. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

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