Биполярный транзистор BU926 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BU926
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2.5
Корпус транзистора: TOP3
BU926 Datasheet (PDF)
..1. Size:215K inchange semiconductor
bu926.pdf
bu926.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU926DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V (Min)CEO(SUS)Low Saturation Voltage: V = 1.5V (Max)@I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage , high-speed , powerswitching in inductive circuit.ABSOLUTE MAXIMUM RATIN
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
