BU926. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU926

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2.5

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BU926

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU926 даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 bu926.pdf pdf_icon

BU926

isc Silicon NPN Power Transistor BU926 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V (Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage V = 1.5V (Max)@I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage , high-speed , power switching in inductive circuit. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие транзисторы: BU921ZP, BU921ZPFI, BU921ZT, BU921ZTFI, BU922, BU922P, BU922PFI, BU922T, TIP42C, BU930, BU930P, BU930Z, BU930ZP, BU931, BU931P, BU931PFI, BU931R