BU930ZP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU930ZP

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO3

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BU930ZP datasheet

 9.1. Size:215K  inchange semiconductor
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BU930ZP

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU930 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 350V(Min.) CEO(SUS) High Reliability Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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