BU930ZP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU930ZP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU930ZP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU930ZP даташит

 9.1. Size:215K  inchange semiconductor
 bu930.pdf pdf_icon

BU930ZP

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU930 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 350V(Min.) CEO(SUS) High Reliability Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы: BU922, BU922P, BU922PFI, BU922T, BU926, BU930, BU930P, BU930Z, TIP31C, BU931, BU931P, BU931PFI, BU931R, BU931RP, BU931RPFI, BU931SM, BU931T