BU999 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU999

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 140 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TOP3

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BU999 datasheet

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BU999

isc Silicon NPN Power Transistor BU999 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 140V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching and linear applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Coll

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