BU999 Todos los transistores

 

BU999 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU999
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TOP3
 

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BU999 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
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BU999

isc Silicon NPN Power Transistor BU999DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 140V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching and linear applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Coll

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History: KSA954G | KT3102D | INC6007AP1

 

 
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